- Модель продукта AFT21H350W03SR6
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1800
Технические детали
- Тип монтажа NI-1230-4S
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 2.11GHz ~ 2.17GHz
- Скорость N-Channel
- Общее сопротивление 63W
- Площадь (Д x Ш) 16.4dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение NI-1230-4S
- Длина ножки 65 V
- 28 V
- 763 mA