- Модель продукта A3G35H100-04SR3
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание RF MOSFET GAN 48V NI780
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2887
Технические детали
- Тип монтажа NI-780S-4L
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Скорость 2 N-Channel
- Общее сопротивление 14W
- Площадь (Д x Ш) 14dB
- Функция - Освещение GaN
- Максимальное переменное напряжение NI-780S-4L
- Длина ножки 125 V
- 48 V
- 80 mA