Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerLDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 6W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta)
• Глубина 900pF @ 15V, 1632pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V
• Тип симистора 5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-LSON (3.3x3.3)