Технические детали

• Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3.5W (Ta), 24W (Tc), 3.5W (Ta), 52W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 55A (Tc), 38A (Ta), 85A (Tc)
• Глубина 1145pF @ 15V, 4175pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 4.95mOhm @ 20A, 10V, 1.35mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 25nC @ 10V, 100nC @ 10V
• Барьерный тип 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)