Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerWDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2W (Ta), 25W (Tc), 2.5W (Ta), 35.5W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 25V
• Толщина внешнего контактного покрытия 17A (Ta), 60A (Ta), 34A (Ta), 60A (Tc)
• Глубина 880pF @ 12.5V, 3215pF @ 12.5V
• Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 17A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 21nC @ 10V, 80nC @ 10V
• Барьерный тип 1.8V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3.3x3.3)