Технические детали

• Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 4.1W (Ta), 24W (Tc), 5W (Ta), 75W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Ta), 22A (Tc), 60A (Ta), 85A (Tc)
• Глубина 1070pF @ 15V, 5550pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 4.25mOhm @ 20A, 10V, 820µOhm @ 30A, 10V
• Тип симистора 25nC @ 10V, 150nC @ 10V
• Барьерный тип 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)