Инвентаризация:1738

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 40.3A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 10A, 15V
  • Материал феррулы 187.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3.5V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -5V
  • 1200 V
  • 62.3 nC @ 15 V
  • 1716 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, ENHANCEM

Инвентаризация: 240

Top