- Модель продукта EMF4T2R
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SOT-563, SOT-666
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
- Смываемый 150mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA, 500mA
- IGBT Тип 50V, 12V
- Толщина ленты 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- Входной логический уровень - Низкий 500nA, 100nA (ICBO)
- Входной логический уровень - Высокий 20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
- Тип диода 250MHz, 260MHz
- Длина рукоятки 2.2kOhms
- Включенные пакеты 2.2kOhms
- Максимальное переменное напряжение EMT6