Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа D4E
  • Толщина контактного покрытия 1µA
  • Количество витков Chassis Mount
  • Индуктивность 500MHz
  • Общее сопротивление 2000W
  • Площадь (Д x Ш) 19.5dB
  • Функция - Освещение LDMOS
  • Максимальное переменное напряжение D4E
  • Длина ножки 110 V
  • 50 V
  • 200 mA

Сопутствующие товары


RF MOSFET LDMOS 65V SOT539AN

Инвентаризация: 49

RF MOSFET LDMOS 65V SOT539A

Инвентаризация: 172

Top