- Модель продукта STLD257N4F7AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.1mOhm @ 60A, 10V
- Материал феррулы 158W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (5x6) Dual Side
- Длина ремня 6.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 66.5 nC @ 10 V
- 5400 pF @ 25 V