- Модель продукта RF2L42008CG2
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS E2
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа E2
- Толщина контактного покрытия 1µA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 700MHz ~ 4.2GHz
- Общее сопротивление 8W
- Площадь (Д x Ш) 14.5dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение E2
- Длина ножки 65 V