Технические детали

• Тип монтажа 4-XFBGA, DSBGA
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 900mW
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 10.3A (Ta)
• Глубина 1780pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Тип симистора 17.5nC @ 4V
• Барьерный тип 1.4V @ 640µA
• Максимальное переменное напряжение X4-DSN1717-4