- Модель продукта SSM6J825R,LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7447
Технические детали
- Тип монтажа 6-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 1.5W (Ta)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSOP-F
- Длина ремня 4V, 10V
- Шаг Количество +10V, -20V
- 30 V
- 6.2 nC @ 4.5 V
- 492 pF @ 10 V