- Модель продукта DXTN3C100PDQ-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание SS Low Sat Transistor PowerDI506
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы
-
PDF
Инвентаризация:2976
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 2 NPN (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Смываемый 1.47W
- Длина - Резьбовая часть под головкой 3A
- IGBT Тип 100V
- Толщина ленты 330mV @ 300mA, 3A
- Входной логический уровень - Низкий 100nA
- Входной логический уровень - Высокий 150 @ 500mA, 10V
- Тип диода 130MHz
- Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101