Технические детали

• Тип монтажа 4-XFBGA, DSBGA
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.3A (Ta)
• Глубина 523pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 1.7A, 4.5V
• Тип симистора 5.6nC @ 10V
• Барьерный тип 1.4V @ 160µA
• Максимальное переменное напряжение X4-DSN1111-4