Технические детали

• Тип монтажа 9-XFBGA, DSBGA
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 970mW (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A (Ta)
• Глубина 392pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 1A, 4.5V
• Тип симистора 3.2nC @ 4.5V
• Барьерный тип 900mV @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение X2-DSN1515-9 (Type B)