Инвентаризация:31322

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 200mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.5Ohm @ 10mA, 4V
  • Материал феррулы 400mW (Ta)
  • Барьерный тип 900mV @ 100µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1006-3
  • Длина ремня 1.5V, 4V
  • Шаг Количество ±10V
  • 20 V
  • 41 pF @ 3 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

Инвентаризация: 9062

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323

Инвентаризация: 107884

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN

Инвентаризация: 4085

MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89

Инвентаризация: 100108

Top