- Модель продукта GT100N04D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 23W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 32 nC @ 10 V
- 642 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Инвентаризация: 623
N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Инвентаризация: 13465
MOSFET N-CH 40V 40A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 15000
T6 40V LL 2X2 WDFNW6
Инвентаризация: 3000
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Инвентаризация: 19283
MOSFET 2N-CH 40V 30A 8PPAK
Инвентаризация: 3000
