- Модель продукта G900P15M
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 150V 35A TO263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1609
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 198W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 27 nC @ 10 V
- 4056 pF @ 75 V