Технические детали

• Тип монтажа 6-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.89W (Ta), 5W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A (Ta), 10A (Tc), 4.4A (Ta), 8A (Tc)
• Глубина 534pF @ 10V, 909pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 5.5A, 4.5V, 70mOhm @ 4.4A, 4.5V
• Тип симистора 7.5nC @ 4.5V, 9.4nC @ 4.5V
• Барьерный тип 800mV @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 6-DFN (2x2)