- Модель продукта TPC8227-H,LQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 40V 5.1A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.5W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 40V
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.1A
- Глубина 640pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 2.6A, 10V
- Тип симистора 10nC @ 10V
- Барьерный тип 2.3V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP