- Модель продукта GT110N06D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6499
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 14A, 10V
- Материал феррулы 25W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 24 nC @ 10 V
- 1059 pF @ 30 V