- Модель продукта G200P04S2
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 40V 9A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:3999
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.1W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 40V
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Глубина 2365pF @ 20V
- Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 7A, 10V
- Тип симистора 42nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Инвентаризация: 18630
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Инвентаризация: 107467
MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Инвентаризация: 2248
