- Модель продукта GT10N10
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5892
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 140mOhm @ 3.5A, 10V
- Материал феррулы 17W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 4.3 nC @ 10 V
- 206 pF @ 50 V