Технические детали

• Тип монтажа Die
• Толщина контактного покрытия 120mA
• Индуктивность 6GHz ~ 18GHz
• Общее сопротивление 24.5dBm
• Площадь (Д x Ш) 13.5dB
• Функция - Освещение pHEMT FET
• Глубина (дюймы) 1.1dB
• Максимальное переменное напряжение Die
• Длина ножки 12 V
• 8 V
• 45 mA