- Модель продукта BCP120C
- Бренд BeRex
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET PHEMT FET 8V DIE
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3200
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Толщина контактного покрытия 500mA
- Индуктивность 6GHz ~ 18GHz
- Общее сопротивление 30.5dBm
- Площадь (Д x Ш) 11dB
- Функция - Освещение pHEMT FET
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ножки 12 V
- 8 V
- 180 mA