Технические детали

• Тип монтажа 4-Micro-X
• Толщина контактного покрытия 80mA
• Индуктивность 1GHz ~ 26GHz
• Общее сопротивление 21.5dBm
• Площадь (Д x Ш) 13.5dB
• Функция - Освещение pHEMT FET
• Максимальное переменное напряжение 4-Micro-X
• Длина ножки 12 V
• 6 V
• 40 mA