- Модель продукта G050N03S
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N30V, 18A,RD<5M@10V,VTH1.1V~2.4V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 2.1W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 37 nC @ 10 V
- 1714 pF @ 15 V