- Модель продукта G35P04D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5997
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 35W (Tc)
- Барьерный тип 2.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (4.9x5.75)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 60 nC @ 10 V
- 3280 pF @ 20 V