- Модель продукта IPT012N08NF2SATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5339
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Ta), 351A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.23mOhm @ 150A, 10V
- Материал феррулы 3.8W (Ta), 300W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 267µA
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-10
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 255 nC @ 10 V
- 12000 pF @ 40 V