- Модель продукта IRF8910TRPBF-1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
- Глубина 960pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 13.4mOhm @ 10A, 10V
- Тип симистора 11nC @ 4.5V
- Барьерный тип 2.55V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO