- Модель продукта CMSP2011A6-HF
- Бренд Comchip Technology
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 20V 11A 6DFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 7.2A, 4.5V
- Материал феррулы 750mW (Ta)
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DFNWB2x2-6L-J
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 35 nC @ 4.5 V
- 1580 pF @ 6 V