Инвентаризация:1512

Технические детали

  • Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 62.5A (Tc)
  • Глубина 6050pF @ 800V
  • Сопротивление при 25°C 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
  • Тип симистора 200nC @ 18V
  • Барьерный тип 5.15V @ 28mA

Сопутствующие товары


SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE

Инвентаризация: 59

MOSFET

Инвентаризация: 14

Top