Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 1.277kW (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 700V
• Толщина внешнего контактного покрытия 464A (Tc)
• Глубина 18000pF @ 700V
• Сопротивление при 25°C 4.8mOhm @ 160A, 20V
• Тип симистора 860nC @ 20V
• Барьерный тип 2.4V @ 16mA