Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N Channel (Phase Leg)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 3.215kW (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 805A (Tc)
• Глубина 30200pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 3.1mOhm @ 400A, 20V
• Тип симистора 2320nC @ 20V
• Барьерный тип 2.8V @ 30mA