- Модель продукта A5G35H120NT2
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET GAN 48V 10DFN
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 10-PowerLDFN
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 3.3GHz ~ 3.7GHz
- Общее сопротивление 18W
- Площадь (Д x Ш) 14.1dB
- Функция - Освещение GaN
- Максимальное переменное напряжение 10-DFN (7x10)
- Длина ножки 125 V
- 48 V
- 70 mA