- Модель продукта TPH2R805PL,LQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4480
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.8mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 830mW (Ta), 116W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP Advance (5x5)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 45 V
- 73 nC @ 10 V
- 5175 pF @ 22.5 V