- Модель продукта TPH4R008QM,LQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:5378
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 86A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 43A, 10V
- Материал феррулы 960mW (Ta), 170W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 600µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP Advance (5x5.75)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 57 nC @ 10 V
- 5300 pF @ 40 V