- Модель продукта TK18A30D,S5X
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1533
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 139mOhm @ 9A, 10V
- Материал феррулы 45W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-220SIS
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 300 V
- 60 nC @ 10 V
- 2600 pF @ 100 V