- Модель продукта TPH2R903PL,L1Q
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.9mOhm @ 35A, 10V
- Материал феррулы 960mW (Ta), 81W (Tc)
- Барьерный тип 2.1V @ 200µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP Advance (5x5)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 26 nC @ 10 V
- 2300 pF @ 15 V