- Модель продукта TK8A25DA,S4X
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1550
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 500mOhm @ 3.8A, 10V
- Материал феррулы 30W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-220SIS
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 250 V
- 16 nC @ 10 V
- 550 pF @ 100 V