- Модель продукта TK3A90E,S4X
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1539
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
- Материал феррулы 35W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220SIS
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 900 V
- 15 nC @ 10 V
- 650 pF @ 25 V