- Модель продукта TK14V65W,LQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3894
Технические детали
- Тип монтажа 4-VSFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13.7A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 280mOhm @ 6.9A, 10V
- Материал феррулы 139W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 690µA
- Максимальное переменное напряжение 4-DFN-EP (8x8)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 650 V
- 35 nC @ 10 V
- 1300 pF @ 300 V