- Модель продукта TK28E65W,S1X
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1550
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 27.6A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 13.8A, 10V
- Материал феррулы 230W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 1.6mA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 650 V
- 75 nC @ 10 V
- 3000 pF @ 300 V