- Модель продукта TK12P50W,RQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3417
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 340mOhm @ 5.8A, 10V
- Материал феррулы 100W (Tc)
- Барьерный тип 3.7V @ 600µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 500 V
- 25 nC @ 10 V
- 890 pF @ 300 V