- Модель продукта TK10E80W,S1X
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1550
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 550mOhm @ 4.8A, 10V
- Материал феррулы 130W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 450µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 19 nC @ 10 V
- 1150 pF @ 300 V