- Модель продукта HN4B102J(TE85L,F)
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы
-
PDF
Инвентаризация:4362
Технические детали
- Тип монтажа SC-74A, SOT-753
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 1 NPN, 1 PNP
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Смываемый 750mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 1.8A, 2A
- IGBT Тип 30V
- Толщина ленты 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
- Входной логический уровень - Низкий 100nA (ICBO)
- Входной логический уровень - Высокий 200 @ 200mA, 2V
- Максимальное переменное напряжение SMV