- Модель продукта TJ90S04M3L,LQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1668
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 4.3mOhm @ 45A, 10V
- Материал феррулы 180W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение DPAK+
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +10V, -20V
- 40 V
- 172 nC @ 10 V
- 7700 pF @ 10 V