- Модель продукта TK3P80E,RQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2751
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
- Материал феррулы 80W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 300µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 800 V
- 12 nC @ 10 V
- 500 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.5A, 800V
Инвентаризация: 4980
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
Инвентаризация: 2485
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Инвентаризация: 4502
MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Инвентаризация: 11037
MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Инвентаризация: 7264
