- Модель продукта TK62N60W5,S1VF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1537
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 61.8A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 30.9A, 10V
- Материал феррулы 400W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 3.1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 205 nC @ 10 V
- 6500 pF @ 300 V